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HORIBA GD-Profiler 2? 簡介

產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品品牌

HORIBA堀場

產(chǎn)品類型

光譜儀

可售賣地

面議

價(jià)格區(qū)間

面議

供貨總量

面議

售后服務(wù)

完善

產(chǎn)品簡介

GD-OES 是一種可對層狀材料進(jìn)行超快速元素深度剖析技術(shù)，同時(shí)能以納米級深度分辨率對所有元素和厚度進(jìn)行定量測量。HORIBA 的脈沖射頻 GDOES 儀器配備差分干涉輪廓術(shù)(DiP)，是材料研究和工藝開發(fā)的理想表征工具。創(chuàng)新的脈沖射頻源可對各種固體樣品進(jìn)行最佳性能的深度剖析，從最初幾納米到超過 150 微米。采用專利的超快速濺射技術(shù)(UFS)，高分子材料可輕松實(shí)現(xiàn)濺射。此外，該源還可用于制備掃描電子顯微鏡(SEM)所需的樣品表面?？蓽y量所有元素，包括氫、氘、鋰、碳、氮、氧等。專利的差分干涉輪廓測量技術(shù)(DiP)可直接測量深度隨時(shí)間變化的函數(shù)關(guān)系，具有納米級精度，且與輝光放電(GD)分析同步進(jìn)行。所有 HORIBA 輝光放電儀器均采用專利的高動(dòng)態(tài)范圍檢測器(HDD)，可實(shí)時(shí)自動(dòng)優(yōu)化靈敏度，既能分析單層中的痕量元素，又能無損檢測第二層中的主量元素，無需任何調(diào)整

HORIBA GD-Profiler 2? 詳情介紹

射頻發(fā)生器是 E 類標(biāo)準(zhǔn)，對穩(wěn)定性和濺射坑形狀都進(jìn)行了優(yōu)化以滿足實(shí)時(shí)表面分析。
射頻源可以分析傳統(tǒng)和非傳統(tǒng)鍍層和材料，對于易碎樣品，還可以使用脈沖式同步采集優(yōu)化測試。
從 110nm到 800nm 同步全光譜覆蓋，包括分析 H、O、C、N 和 Cl 的深紫外通道。
HORIBA 研發(fā)的離子刻蝕型全息光柵具有高的光通量和光譜分辨率，光學(xué)效率和靈敏度都表現(xiàn)優(yōu)良。
HDD 探測器兼具檢測速度和靈敏度。
內(nèi)置的微分干涉儀DIP可實(shí)時(shí)測量濺射坑深度和剝蝕速率。
寬敞簡潔的大樣品倉易于裝卸樣品，操作簡單。
QUANTUM™ 軟件配置了Tabler 報(bào)告編寫工具。
專利激光中心定位裝置（專利號：Fr0107986/國際專利種類：G01N 21/67）可定位樣品測試位置。

HORIBA 的輝光放電光譜儀可以選配單色儀，實(shí)現(xiàn)n+1元素通道的同時(shí)也提高了設(shè)備的靈活性。

HORIBA GD-Profiler 2?產(chǎn)品規(guī)格

輝光源結(jié)合超快速、高分辨的同步光學(xué)器件，可對導(dǎo)體、非導(dǎo)體和復(fù)合材料進(jìn)行快速元素深度剖析。

適用于薄膜和厚膜——從納米到數(shù)百微米，且具有納米級深度分辨率。

典型應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏、冶金、LED 制造、腐蝕研究、有機(jī)和微電子、材料研發(fā)、沉積工藝優(yōu)化、PVD、CVD、等離子涂層、汽車、鋰電池等。

不需要超高真空。

使用高動(dòng)態(tài)探測器可以測量所有感興趣的元素（包括 H、D、O、Li、Na、C、N 等）。

可選附件單色儀配備的也是高動(dòng)態(tài)探測器，可在image模式下做全譜掃描，極大的增加了設(shè)備的靈活性。

脈沖式射頻源，可選擇在常規(guī)射頻模式和脈沖式射頻模式下工作，且可全自動(dòng)匹配。

輝光源采用差速雙泵真空系統(tǒng)，可為SEM制備樣品。

內(nèi)置等離子清洗功能。

超快速濺射模式UFS可快速分析聚合物和有機(jī)材料。

內(nèi)置的微分干涉儀DIP，可直接在線測定深度。

用于異形樣品測試的各種銅陽極和附件。

Windows 10 軟件 – 為遠(yuǎn)程安裝提供多個(gè)副本

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